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锥形激光放大器 ;可调谐半导体激光器系统
产品名称 锥形激光放大器 ;可调谐半导体激光器系统
产品型号 型号:TPA,ECDL-TA-795
产品概述 锥形激光放大器系统是由半导体激光源、锥形放大器、电源组成,核心部件是锥形放大器。通过锥形放大器将输入的激光功率放大,它具有体积小、噪声小、增益带宽较宽、放大倍数大等特点。也可定制将ECDL种子光+TA放大器一起组合成一体机,型号为ECDL-TA
 

产品描述

锥形激光放大器系统是由半导体激光源、锥形放大器、电源组成,核心部件是锥形放大器。通过锥形放大器将输入的激光功率放大,它具有体积小、噪声小、增益带宽较宽、放大倍数大等特点,可应用在科研、军工、航天领域。此产品是我公司自主研发生产的锥形激光放大器商业产品,结合数字技术、价格合理,在国内具有优势。

 

 

 

 

外部结构


激光放大器外形尺寸(图1):
 

激光放大器外部接口(图2):
1-- 种子光输入口 Input
2-- 放大器激光头底板
3-- LASER电流端口
4-- TEC温控端口
5-- 放大激光输出口 Output
 
 

内部结构


 
 

 

 

种子光与放大器一起组成,组合后的一体机:

               

激光放大器整体部分   及  激光放大器电源部分

 原理特性


锥形放大器二极管(图3)是利用半导体材料的受激辐射放大原理实现相干光放大的器件,其性能见下表。这种放大属于行波放大,它将工作电流转化为注入种子光幅度的改变,而同时保持注入光的偏正、线宽和频率。随着工作电流的加大,输入光在增益介质里呈圆锥形放大(图4),输出光功率也成一定关系的增加,可将10 mW..50 mW的输入种子激光可放大到500mW .. 2000 mW 。
 


图3. 锥形放大器二极管
 


图4. 放大原理图

 

性能指标


激光放大二极管性能参数表:

 

Parameter
Symbol
Unit
min
typ
max
Measurement Condition
Center Wavelength
λc
nm
 
840
 
 
Gain Width (FWHM)
Δλ
nm
20
30
 
 
Temp. Coeff. Of Wavelength
TCλ
nm/K
 
0,3
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Output Power
Popt
mW
 
500
 
depending on customer setup
Amplification
 
dB
 
13
 
 
Minimum Input Power
PMin
mW
 
10
 
 
Saturation Power
PSat
mW
 
50
 
 
Operational Current
IOp
A
 
1,5
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Cavity Length
IC
μm
 
2750
 
 
Input Aperture (at rear side)
 
μm
 
3
 
 
Output Aperture (at front side)
 
μm
 
190
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Divergence parallel (FWHM)
Θ
°
 
14
 
 
Divergence perpendicular (1/e2)
Θ
°
 
28
 
 
Astigmatism
 
μm
 
600
 
depending on customer setup
Polarization
 
 
 
TE
 
 


表1:激光放大二极管性能参数表(仅供参考)

 

锥形激光放大器 (TPA)
波长
657780795840850895, 91598010601080nm
输出功率
500mW, 1000mW2000 mW
增益带宽
30nm(典型值)
放大倍数
13dB
最小输入光功率
10 mW
饱和输入光功率
50 mW
模式
单横模单纵模
冷却方式
风冷(电源)

体积小
噪声小
带宽较宽
放大倍数大


应用领域


原子冷却与俘获
激光稳频
激光光谱
拉曼效应
光频标
光通讯
激光雷达
    

参考文献:

1)用于Rb原子冷却系统的半导体激光放大(TPA)装置

      刘永宏,韩燕旭,张春红,李淑静,王海《量子光学学报》, 2009, 15(1):91-94

2)高功率高光束质量锥形半导体激光器

      蒲涛飞,张晶 - 《长春理工大学学报(自然科学版)》 - 2015

3)一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法

      曹玉莲,陈良惠 - - 2009

4)1015nm半导体激光放大系统的实验研究

      陈琳,钟标,夏勇,... - 《激光与光电子学进展》 - 2015 

5)半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应

       陈昌华,陈良惠,王启明  《Journal of Semiconductors》, 1996, 17(3):196-202  

 
 
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